巴魯夫BALLUFF傳感器的封裝形式有哪些？
BALLUFF傳感器的工作原理是利用敏感芯體的壓電效應(yīng)，而壓電材料產(chǎn)生的是高阻抗的電荷信號(hào)。傳感器敏感芯體的絕緣阻抗與傳感器的低頻測(cè)量截止頻率存在著相互對(duì)應(yīng)的關(guān)系。為了傳感器的低頻響應(yīng)，傳感器殼體封裝設(shè)計(jì)應(yīng)使敏感芯體與外界隔絕，以防止壓電陶瓷受到任何污染而導(dǎo)致其絕緣阻抗下降。敏感芯體絕緣阻抗下降對(duì)傳感器性能造成的直接影響表現(xiàn)為低頻響應(yīng)變差，嚴(yán)重時(shí)還將造成傳感器靈敏度改變。為傳感器的密封特性，大多傳感器的封裝采用激光焊接。同時(shí)在當(dāng)今密封材料品種多樣，性能日益完善的情況下，針對(duì)不同的使用環(huán)境，采用合適的密封材料替代激光焊接也能達(dá)到BALLUFF傳感器密封的要求。但必須指出不同的密封材料效果差異很大。

    在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)，為防止BALLUFF傳感器信號(hào)的影響，對(duì)用于工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的監(jiān)測(cè)傳感器往往要求傳感器采用雙重屏蔽殼封裝形式。雙層屏蔽結(jié)構(gòu)的傳感器輸出接頭一般采用雙芯工業(yè)接頭或聯(lián)體電纜輸出形式。由于雙層屏蔽殼的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和雙芯輸出電纜，傳感器的高頻特性一般將受到較大的制約，因此如果用戶必須選用雙層屏蔽型傳感器進(jìn)行高頻振動(dòng)信號(hào)測(cè)量，應(yīng)謹(jǐn)慎考慮

BALLUFF傳感器由硅膜片、襯底、下電極和絕緣層構(gòu)成。其中下電極位于厚支撐的襯底上。電極上蒸鍍一層絕緣層。硅膜片則是利用各向異性腐蝕技術(shù)，在一片硅片上從正反面腐蝕形成的。上下電極的間隙由硅片的腐蝕深度決定。硅膜片和襯底利用鍵合技術(shù)鍵合在一起，形成具有一定穩(wěn)定性的硅膜片電容壓力傳感器[2]。由于鉑電阻耐高溫，且對(duì)溫度敏感，選用鉑電阻，既可以當(dāng)普通電阻使用，又可以作為溫度傳感器用以探測(cè)被測(cè)環(huán)境的溫度。